RFHIC(218410) 종목분석 : Gan 갈륨 나이트라이드, 반도체 관련주

RFHIC 목차 홈페이지 기업소개 주주에 관한 사항 포괄손익계산서 재무상태표 현금흐름표 종목분석 기업실적분석 차트 및 총평 매매포인트 추정평균단가

 

홈페이지

www.rfhic.com/

RFHIC - Innovators of GaN RF & Microwave Solutions

 

기업소개

RFHIC는 경쟁사보다 먼저 미래 산업의 변화를 예측하여 신소재인 질화갈륨(Gallium Nitride, 이하 GaN)을 이용한 제품 개발 및 상용화를 시도하였습니다. RFHIC가 중소기업이지만 비교적 짧은 기간 안에 시장을 공략할 수 있었던 이유는 GaN이라는 신소재를 이용한 무선주파수(RF, Radio Frequency) 전력 증폭기(이하, GaN 전력증폭기)를 개발했기 때문입니다. 해외 글로벌 경쟁사들이 기존 30여 년 동안 시장을 장악한 실리콘 기반 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)라는 소재에 집중할 때 높은 가격 때문에 군사용, 인공위성 등 제한된 용도로 사용하고 있는 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용하여 실리콘 기반 LDMOS와 경쟁할 수 있는 가격구조를 갖추게 되었습니다. GaN 전력증폭기는 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 정도 높으며, 제품 크기는 최대 절반으로, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점이 있어 전 세계 기지국 시장에 확대 적용되고 있습니다.

RFHIC의 주력 제품에는 GaN 트랜지스터와 GaN 전력증폭기가 있으며 전체 매출액의 90% 이상 차지하고 있습니다. RFHIC의 가장 큰 경쟁력은 국내에서 유일하게 GaN 트랜지스터를 생산하고 있다는 것입니다. 생산된 GaN 트랜지스터는 직접 판매하거나, RFHIC의 GaN 전력증폭기에 사용되기도 합니다.

RFHIC는 5세대 이동통신(5G)시대를 대비하여 GaN트랜지스터(GaN on SiC)를 적용한 고주파, 광대역, 고효율 특성을 갖는 Hybrid 통신용 전력증폭기를 개발하였습니다. Hybrid 통신용 전력 증폭기는 전력밀도가 높은 GaN 반도체를 이용하여 Massive MIMO 구현에 필요한 소형화 및 저전력 고효율 기술을 구현한 증폭기로써 기존 매크로 셀 기지국을 보완하여 향상된 네트워크 속도 및 품질을 제공합니다. 

신소재 영역까지 사업분야를 확대하기 위하여 기존의 GaN 트랜지스터(GaN on SiC)의 성능을 발전시킨 GaN on Diamond 웨이퍼(Wafer) 및 이를 이용한 트랜지스터 공정, 패키지 등 원천기술을 확보하였습니다. (국내/외 8개국, 총 88건 특허)

Diamond는 기존의 실리콘이나 탄화규소(SiC)에 비해 열전도성이 4~10배 우수하여, GaN의 기판으로 활용할 경우 전력밀도, 전력효율 및 선형성의 개선으로 초소형기지국 구현에 높은 경쟁력을 확보할 수 있으며, 특히 SWaP(Size, Weight and Power) 특성이 가장 요구되는 방산제품에 가장 적합한 소재입니다.

RFHIC는 GaN on Diamond 소자를 사용한 고출력 반도체 전력증폭기를 개발하여 기존 진공관(Magnetron, TWT: Traveling Wave Tube, Klystron등)을 1:1로 대체할 뿐 아니라, 다양한 영역으로 사업을 확대하고 있습니다.

RFHIC는 RF분야에서도 무선이동통신과 레이더 분야에 집중하고 있으며 화합물 반도체 소재를 사용한 제품을 생산 및 판매하고 있습니다.

Radio Frequency(RF)는 3khz ~ 300GHz 주파수를 갖는 전자기파(전자파)를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법으로 라디오, 디지털 위성방송, 무선이동통신, 무선 LAN 등 우리의 일상에서 밀접하게 사용되고 있으며, 나아가 군사용/기상용 레이더, 위성 통신 등 산업 전반에서 다양한 분야에 활용되고 있는 기술입니다.

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*GaN 트랜지스터

당사에서 제작하는 GaN 트랜지스터는 약한 전기 신호를 크게 증폭하는 반도체 부품으로 소재의 특성으로 인하여 3 GHz 이상의 고주파에서 특히 뛰어난 효율 및 성능을 발휘합니다. GaN 트랜지스터는 무선통신시스템의 송수신단을 포함하는 이동통신 기지국 및 중계기에서 주로 사용되며, 레이더, 위성통신, 선박 등 다양한 분야에도 적용될 수 있습니다. 무선통신장비인 기지국은 장비 내부의 각종 부품에서 발생하는 열로 인하여 온도가 상승하고 이러한 온도 상승은 장비의 오작동 및 성능 저하의 주요 원인이 되고 있습니다. 기지국 운영업체(예로 SK텔레콤 같은 이동통신사)들은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기지국 내에 각종 냉방장치를 설치하고 있어서 전력 소비를 증가시키고 있습니다. 결국 기지국 장비의 전력소비량 대부분을 차지하는 전력증폭기의 효율이 개선되어야 그에 따른 발열량을 감소시킬 수 있고 냉방장치에 소모되는 전력을 개선할 수 있습니다. GaN 트랜지스터는 에너지 밴드 갭이 넓어서 높은 출력에서 고효율을 발휘할 수 있으며 전력밀도가 높아 제품의 소형화가 가능합니다. 전력증폭기에 GaN 트랜지스터를 적용하면 기지국 장비의 소형화 및 고효율이 가능하여 전력 소비를 절감할 수 있고 장비 자체의 효율도 향상시킬 수 있습니다. 전력증폭기에 기존의 실리콘 기반의 LDMOS 트랜지스터 대신 GaN 트랜지스터를 사용하면 효율 및 전력 소비 문제에 대하여 개선할 수 있습니다.

*통신용 GaN 전력증폭기

당사에서 주로 제작하는 통신용 GaN 전력증폭기는 작은 사이즈의 기판 안에 입출력 정합(Matching)회로를 포함하여 사용자의 편리성을 극대화한 제품이며 무전기와 같은 휴대용 무선통신, 5G Massive MIMO용 기지국, 초소형기지국, Point-to-Point 애플리케이션에 적용을 위해 개발되었습니다. 통신용GaN 전력증폭기는 COB(Chip on board) 공정을 통해 GaN 웨이퍼를 질화 알루미늄(AlN) 기판 상에 올리는 방식으로 제작됩니다. 입출력 정합 및 바이어스 회로는 표면 마운트 타입의 패키지로 통합되어 장착됩니다. 통신용 GaN 전력증폭기는 위성 통신, LTE, WCDMA, WiMAX, Point-to-Point 및 레이더 등 다양한 분야에서도 활용될 수 있습니다. 당사의 통신용 GaN 전력증폭기는 자체 제작한 GaN 트랜지스터를 사용하거나(기지국 및 중계기용) 자체 디자인한 GaN 웨이퍼를 사용하기 때문에(초소형 기지국용) 고객사에 경쟁력 있는 가격으로 공급이 가능합니다. 통신용 GaN 전력증폭기를 기지국에 사용하면 시스템 전체 효율을 높일 수 있으며 시스템 사이즈를 줄일 수 있기 때문에 유지보수비를 절감할 수 있습니다.

*레이더용 GaN 전력증폭기

당사의 레이더용 GaN 전력증폭기는 GaN 트랜지스터를 이용한 회로 기판으로 구성된 SSPA(Solid State Power Amplifier) 형태로 제작됩니다. 50V의 낮은 전압에서 동작하며 모듈 형태로 제작되어 기존 진공관(Magnetron, TWT, Klystron등) 대비 효율이 우수하고 및 소형화에 유리한 특징을 가지고 있습니다. 레이더용 GaN 전력증폭기는 레이더 시스템의 송수신부 또는 안테나 장치에 장착되어 제어부의 명령을 받아 RF(Radio Frequency) 송신출력을 안테나로 공급하는 필수 장비입니다. 레이더용 GaN 전력증폭기가 포함된 송수신부의 경우 레이더 시스템 전체 비용의 30%를 차지하며 전체 시스템의 운용 효율을 결정하는 핵심 요소입니다. 최근 레이더 개발 사업은 성능개선, 운용 유지비용의 절감 및 효율의 극대화를 위해 GaN 트랜지스터를 사용한 전력증폭기가 적용되고 있습니다.

*GaAs MMIC

RFHIC에 GaAs 웨이퍼를 공급하는 곳은 해외의 E사 입니다. E사의 생산능력은 6인치 GaAs 웨이퍼를 생산하는 공장 2곳을 운영하고 있습니다. 이는 전세계 시장점유율의 20%에 해당되며 GaAs 웨이퍼 주문생산(Foundry services) 점유율을 고려하면 약 50%를 차지하고 있는 수준입니다. 오래된 신뢰와 기술을 바탕으로 현재 RFHIC에 양질의 원자재를 공급하고 있습니다.

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*** 신규 사업

(가) GaN on Diamond

당사는 기존 실리콘(Si) 기반의 글로벌 경쟁사에서 GaN 트랜지스터에 대한 개발 및 제품 출시를 준비하는 동안 당사는 보다 향상된 기술을 확보하기 위하여 새로운 소재인 Diamond에 대한 연구를 진행하고 있습니다. 일반적으로 Diamond는 특유의 광택 및 화려함으로 보석의 대명사로 널리 알려져 있지만, Diamond 자체의 다양하고 우수한 물리적 특성에 의해 산업적으로도 널리 쓰이고 있는 소재입니다. 구체적으로 Diamond의 물리적 특성을 살펴보면, 구리보다 4배 정도 큰 열전도도를 가지며, 고압, 고출력 반도체에 요구되는 큰 에너지 밴드갭과 항복 전압(Breakdown voltage), 및 높은 전자 이동도를 갖는 등 반도체로 우수한 특성을 보유하고 있습니다. 당사는 이러한 Diamond의 우수한 특성을 제품에 접목시킨 Diamond 웨이퍼 및 제조공정에 대한 원천기술을 확보하고 세계 최초로 GaN on Diamond 웨이퍼의 상용화를위하여 영국의 Element Six로부터 Diamond 웨이퍼 공정 및 설계 기술에 대한 지식재산권을 취득하였습니다. GaN on Diamond 웨이퍼 공정의 상용화 기술개발 및 원천기술확보는 기존 원재료인웨이퍼를 수입하여 제품을 생산하던 팹리스(Fabless) 업체에서 자체 Fab을 보유한 반도체 전문 기업으로의 발전을 의미하며, 이를 통하여 급변하는 세계 시장에서 보다능동적이고 빠르게 제품의 생산 및 경쟁력을 확보할 수 있습니다. 5세대 이동통신 및 방위산업에서는 우수한 방열특성 및 높은 주파수가 필요합니다. GaN on Diamond 소자를 개발 및 적용하면 최대 400GHz까지 동작 가능한 소자를 확보할 수 있습니다. 개발된 GaN on Diamond 소자는 5세대 이동통신뿐만 아니라 고출력 AESA(Active Electronically Scanned Array, 능동 전자주사식 위상배열) 레이더용 전력증폭기와 같은 방위산업 분야의 선점효과를 기대할 수 있습니다. CVD Diamond 증착기술을 이용한 GaN on Diamond 웨이퍼의 국산화 및 원천 기술을 확보하면전력반도체와 같은 시스템 반도체, 기타 응용 제품 등 신규 시장으로 사업의 영역을 확대할 수 있습니다.

(나) GaN on SiC

1) 5G 이동통신

가) 5G Front-End Module

무선데이터의 수요가 기하급수적으로 증가하면서, 선진 기업들은 무선데이터와 네트워크의 용량을 비약적으로 확대할 수 있는 새로운 혁신기술인 5세대 이동통신 기술 개발에 박차를 가하고있습니다. 5세대 이동통신 구현에 핵심 기술 중 하나인 Massive MIMO(Massive Multi Input Multi Output)는 대용량의 데이터를 고속으로 전송하기 위해 다량의 안테나를 사용하여 무선데이터 전송 속도와 링크안정성을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기술입니다. 또한, 에너지 소비를 최소화 하면서, 더욱 많은 사용자를 수용할 수 있습니다. Massive MIMO 기술의 구현에는 32개 또는 64개 이상의 송/수신단과 연결되는 다수의 안테나가 배열 됩니다. 다량의 안테나가 사용됨에 따라 각 안테나의 간섭을 최소화할 수 있도록 전력증폭기 설계 기술이 필요합니다. 또한 각 송신단에서 사용되는 다수의 전력증폭기로 인한 발열 및 에너지 효율을 개선하기 위한 고효율 전력증폭기에 대한 개발이 요구되고 있습니다. 이러한 5세대 이동통신에 적합하도록 송수신 소자를 집적화한 제품이 Front-End Module 입니다. 송수신을 전환하는 RF스위치와 송신용 증폭기, 수신용 저잡음 증폭기를 모두 내장하고 소형화하였기 때문에 네트워크장비의 제조비용을 절감할 수 있으며 GaN 소자 특유의 고효율 성능으로 인해 유지비용이 낮아 소형기지국과 5G Massive MIMO용으로 많은 수요가 기대되는 제품입니다.

나) 5G GaN MMIC

5G 차세대 통신용 Massive MIMO 기술에 적용되는 전력증폭기는 32개, 64개 이상의 다량의 안테나와 전력증폭기가 배열되므로 간섭을 최소화하며 효율을 최대화하는고도의 설계 기술과 신뢰성있는 집적화 기술이 적용되어야 합니다. 때문에, 3.5Ghz 및 28Ghz 주파수를 사용하는 5G 차세대 통신용 전력증폭기는 여러 부품을 단일칩에집적함으로써 통신기기를 획기적으로 소형화할 수 있는 GaN MMIC 형태로 개발될 것으로 예상됩니다. 당사는 현재 6GHz 이하의 제품으로 평균출력 XW급의 고효율 GaN MMIC를 개발하고 있습니다. 또한, 상업용 및 방산용 레이더 산업에 적합한 C, X, Ku, K-band 와 같은 고주파 대역의 GaN MMIC 제품 개발을 통해 설계기술 확보 및 5G 통신용 제품에적용해 나갈 예정입니다.

2) 인공위성에 적용

우주 궤도에서 전력 사용은 극히 제한되어 있으므로 주어진 전력으로 기능을 극대화 할 수 있는 고출력 증폭기의 효율 개선, 경량화 및 신뢰성있는 기술의 확보가 매우 중요합니다.GaN 트랜지스터를 이용한 전력증폭기는 한층 더 보강된 높은 신뢰성과 긴 수명, 고효율, 낮은 전압에서 동작 등의 장점을 적극 활용하여 새롭게 변화하고 있는 위성 통신 분야의 많은 데이터량을 처리 하는데 적합한 제품입니다. 당사는 위성 탑재체 개발 초기 단계부터 탑재체용 전력 증폭기의 개발에 참여하여 요구되는 성능 및 규격에적합한 제품을 제공하고 있습니다. 당사에서는 위성 탑재체용 X, Ku-Band GaN 고출력 증폭 MMIC 및 이를 이용한 전력증폭기 우주인증모델을 개발하고 있으며, 개발된 제품은 향후 저궤도 소형, 중형 탑제체에 적용될 예정이며, 정지궤도 통신용 탑제체에도 활용될 수 있습니다.

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***주요 제품 등의 현황

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***매출실적

주주에 관한 사항

포괄손익계산서

매출액 : 2017년 621억원, 2018년 1081억원으로 증가하였고, 2019년 1078억원, 2020년 705억원으로 감소하였습니다. 2020년은 전년동기대비 -34.6% 감소하였습니다. 2020년 분기별로 보면 1분기 206억원, 2분기 147억원, 3분기 97억원, 4분기 254억원입니다.

 

영업이익 : 2017년 81억원, 2018년 267억원으로 증가하였고, 2019년 179억원, 2020년 -30억원으로 감소하였습니다. 2020년은 전년동기대비 적자전환하였습니다. 2020년 분기별로 보면 1분기 18억원, 2분기 -27억원, 3분기 -39억원, 4분기 18억원입니다.

 

재무상태표

자산은 2017년 1551억원, 2018년 2343억원, 2019년 2602억원, 2020년 3123억원으로 증가하였습니다.

부채는 2017년 276억원, 2018년 706억원으로 증가하였고, 2019년 447억원으로 감소하였습니다. 2020년은 952억원으로 증가하였습니다.

자본은 2017년 1274억원, 2018년 1637억원, 2019년 2156억원, 2020년 2171억원으로  증가하였습니다.

자산의 총계는 부채보다 자본이 약 2배이상 높아 재정건전성이 안정적입니다.

현금흐름표

영업활동 현금흐름 : 2017년 52억원, 2018년 481억원, 2019년 271억원, 2020년 -242억원으로 2019년까지 영업활동 현금흐름이 원활했고, 2020년에는 현금흐름이 원활하지 못합니다.

투자활동 현금흐름 : 2017년 31억원, 2018년 -296억원, 2019년 -83억원, 2020년 -1126억원으로 투자활동 현금흐름이 원활합니다.

재무활동 현금흐름 : 2017년 -19억원, 2018년 260억원, 2019년 102억원, 2020년 547억원으로 2018년 이후 투자활동 현금흐름이 원활합니다.

 

종목분석

CAPEX(Capital expenditures,자본적 지출,미래의 이윤을 창출하기 위해 지출한 비용을 말함) : 2018년 75억원, 2019년 89억원, 2020년 264억원으로 CAPEX가 좋습니다. 2021년은 57억원으로 추정됩니다.

FCF(미래현금흐름) : 2018년 406억원, 2019년 181억원, 2020년 -506억원으로 2020년에는 미래현금흐름이 좋지 못합니다. 2021년은 -10억원으로 추정됩니다.

 

매출채권회전율 : 2018년 224억원, 2019년 133억원, 2020년 100억원이고, 회전율은 2018년 약 5회, 2019년 약 6회, 2020년 약 6회로 안정적입니다.

재고자산회전율 : 2018년 473억원, 2019년 521억원, 2020년 747억원이고, 회전율은 2018년 약 2회, 2019년 약 2회, 2020년 약 1회로 안정적입니다.

기업실적분석

부채비율 : 2018년 43%, 2019년 20%, 2020년 43%로 증감을 오가고 있으며, 표준(100%)보다 낮아 안정적입니다.

당좌비율 : 2018년 297%, 2019년 324%, 2020년 305%로 증감을 오가고 있으며, 표준보다 높아 당좌비율이 안정적입니다.

유보율 : 2018년 1290%, 2019년 1563%, 2020년 1590%로 증가하고 있고, 유보율이 높아 사내 유동자산이 좋습니다.

차트 및 총평

RFHIC의 2021년 영업이익은 257억원으로 추정됩니다. 현재(21.4.30) 시가총액은 9718억원으로 멀티플 37입니다.

• 동사는 GaN 화합물 반도체 전문기업으로 통신 장비와 레이더 장비에 사용되는 GaN 트랜지스터와 전력 증폭기 사업을 핵심 사업으로 영위중입니다.

• 실질적으로 5G 서비스 확산에 따른 최대 수혜기업으로 여겨졌으나 G2분쟁에 따른 피해로 실적 개선이 나타나지 않아 시장 소외를 받고 있습니다.

• 진정한 5G라 할 수 있는 mmWave와, 방산용 레이더 장비 수요 증가, 전기차 보급 확산에 따른 화합물 반도 체 시장 성장이 확실시 되고 있어 국내 GaN 화합물 반도체 전문 기업으로서 시장의 관심 고조될 가능성 상존하고 있습니다.

매매포인트

RFHIC는 20년 10월부터 주가가 상승하여, 21년 1월 14일 전고점 49550원을 찍고, 조정중에 있습니다. 지금은 충분히 조정을 받았고, 매수적정가는 39000원초반때입니다.

 

추정평균단가(21년 4월 30일)

종목명	현재가	개인	외국인	기관
RFHIC	40750원	39816원	39855원	40463원